武汉新芯欲带领中国存储产业弯道超车

武汉新芯执行副总裁兼商务长陈少民接受媒体采访

根据陈少民估算，未来这一存储基地，至少将吸引几百家配套厂商入驻，包括主控芯片公司、模组公司、封装测试公司等等。

技术：自研+合作

一直以来，中国在主流存储产品领域的布局基本处于空白状态，技术的积累自然也是非常薄弱。作为这次国家存储器战略的实施主体，武汉新芯决定顺应潮流生产应用前景广阔且国际大厂都在开发的3D-NAND Flash产品。

在这样的策略布局下，技术来源就显得尤为重要。

事实上，成立十年来，武汉新芯一直专注于存储器产品的研发生产，此前主要生产NOR Flash产品，但在2013年后，武汉新芯聘请杨士宁博士担任CEO并领导一批顶尖人才和国际专家开展3D-NAND的开发，并取得了不错的成绩。

除了自主研发以外，武汉新芯还与美国飞索半导体达成战略合作，并签署了共同开发和专利交叉授权协议。据陈少民介绍，作为AMD和富士通成立的合资公司（2014年被赛普拉斯收购），飞索半导体在2014年获得了一项名为“电荷捕获”的重要专利技术，随后武汉新芯也获得了这一专利的交叉授权。

在自身技术基础和飞索半导体的支持下，目前武汉新芯在3D-NAND 9层堆叠的技术上获得重要突破，读、写、擦都没有问题，并且可以实现量产。而对于未来要生产的DRAM产品的技术来源，陈少民表示正在寻求合作中，更多细节则没有透露。

目标：实现弯道超车

存储器是最大宗的半导体产品，也是我国进口金额最大的半导体产品。2014年，我国半导体进口额达到2176.2亿美元，其中存储器占24.9%。如此重要的产品几乎全部需要进口，这警示中国必须要突破技术瓶颈，打造自己的半导体供应链体系。

东湖高新区存储基地项目规划图

那么，武汉新芯为何要选择3D-NAND作为突破口呢？

“中国再也不能错过3D-NAND的发展机遇了！”这是陈少民在接受采访时发出的感慨。他认为，首先由于2D-NAND Flash工艺已经接近物理极限，无法满足高端设备对存储器性能、功耗和可靠性的要求，所以已经没有切入的必要，而3D-NAND则为国内厂商进入主流存储器制造领域提供了弯道超车的机会。其次，随着智能手机、云计算、物联网等业态的不断发展，存储器产品未来应用会更广泛，而3D-NAND对大多数厂商来说都是新技术，此时介入，大家的起点相差不会太远，只要大胆投入积极参与，未来就会有机会。

众所周知，上个世纪八十年代，日本抓住商业计算机快速成长的机会成为存储产业的“大哥大”，进入九十年代后，韩国则顺应个人计算机和手机的发展潮流成为了全球存储产业的领头羊，如今进入3D世代，中国如果能够把握机会，就有机会实现弯道超车，就算不能超过别的国家，也能尽量拉近与他们的差距。

陈少民表示，目前武汉新芯在3D-NAND的技术上与国际主要厂商存在一代半的差距，新芯有信心在三代产品内赶上主流厂商的技术步伐，届时必将改变全球存储领域的现有格局，扭转竞争态势。返回搜狐，查看更多